核心參數（公開版）

核心優勢

1. 超微超細粒徑：一次粒徑 0.09 μm，d50 0.14 μm，窄分布，適合納米級材料混合與成型，提升產品致密度與性能均勻性。

2. 4N 級高純與低污染：嚴格控制雜質與放射性，適配半導體治具、電子陶瓷等對污染容忍的場景。

3. 高比表面積與分散性：17.0 m2/g 比表面積，粉體分散性好，利于與其他材料復合，降低燒結溫度與收縮率波動。

4. 晶體結構穩定：α- 氧化鋁相純度高，化學穩定性與耐磨性優異，適合高溫 / 高濕等嚴苛工況。

適用場景與選型匹配

與同系列型號對比（關鍵差異）

工藝與使用要點

1. 分散與成型：超細粒徑易團聚，建議用酒精 / 丙酮 + 分散劑超聲分散，成型壓力適中避免密度不均。

2. 燒結控制：高比表面積利于低溫燒結（建議 1400–1500°C），升溫速率 5–10°C/min，保溫 2–4 小時，提升致密度。

3. 雜質管理：4N 級純度需匹配潔凈車間與專用工具，避免二次污染。